 |
6KBJ Συσκευαστική δομή κράματος BRIDGE RECTIFIER DIODE GBJ2006 20A/600V για μετατροπή ενέργειας
Λεπτομέρειες:
| Τόπος καταγωγής: | Κίνα |
| Πιστοποίηση: | ISO9001:2015, ISO14001:2015, IATF16949 |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
| Ποσότητα παραγγελίας min: | 3, 000 τεμάχια |
|---|---|
| Τιμή: | Negotiable |
| Χρόνος παράδοσης: | Προθεσμία προετοιμασίας για την περίοδο αιχμής: ένας μήνας Προθεσμία προετοιμασίας εκτός εποχής: εντ |
| Όροι πληρωμής: | ΛC, T/T, PayPal |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 10000000000 κομμάτια/έτος |
|
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
| Σχήμα αριθ.: | GBJ2006 | Δομή: | Συσκευές από χάλυβα |
|---|---|---|---|
| Υλικό: | πυριτίου | VRRM: | 600V |
| ΕΑΝ: | 20Α | Πακέτο μεταφοράς: | Καρτόνι |
| Προδιαγραφές: | ΔΙΟΔΗΣ ΔΙΟΔΗΣ ΔΙΟΔΗΣ | Εμπορικό σήμα: | JF |
| Καταγωγή: | Κίνα | Κωδικός ΕΣ: | 85411000 |
| Δυνατότητα προσφοράς: | 10000000000 κομμάτια/έτος | Μέγεθος συσκευασίας: | 20.00cm * 40.00cm * 15.00cm |
| Ακαθάριστο βάρος πακέτου: | 8.000kg | ||
Περιγραφή προϊόντων
Διορθωτής γέφυρας
Ηλεκτρονικό στοιχείο
Ηλεκτρονικό στοιχείο
Αριθμός μέρους: GBJ2006
Μεγαλύτερη παράμετρος:
| Τύπος | VRRM | ΑΝ | IR(25oC) | IR ((100oC) | IR125oC) | Επενδύσεις | Trr | Σύνοψη |
| V | Α | μA | μA | UA | V | nS | ||
| GBJ2006 | 600 | 20 | 10 | 500 | 1.1 | GBJ | ||
| GBJ2008 | 800 | 20 | 10 | 500 | 1.1 | |||
| GBJ2010 | 1000 | 20 | 10 | 500 | 1.1 |
Ετικέτα:JF
Συσκευή:Πακέτο GBJ
Παρασκευαστής:Η εταιρεία Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Χαρακτηριστικά:
·Η πλαστική συσκευασία έχει εργαστηριακή κατάταξη εύφλεκτης ικανότητας υπογραμμιστών 94V-0
·Συμπλέκτης τσιπ από γυαλί με παθητικοποίηση
·Δυνατότητα ρεύματος υψηλής τάσης προς τα εμπρός
·Εγγυημένη συγκόλληση υψηλής θερμοκρασίας:260 C/10 δευτερόλεπτα στα τερματικά
·Συστατικό σύμφωνα με το RoHS 2011 65 EU
Εφαρμογή:
Χρησιμοποιείται στον τομέα της τροφοδοσίας ηλεκτρικής ενέργειας, του φωτισμού, του αυτοκινήτου, των οικιακών συσκευών
Θέλετε να μάθετε περισσότερες λεπτομέρειες σχετικά με αυτό το προϊόν